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英特尔三星14纳米来势汹汹OFweek电子工程网dd

发布时间:2021-01-21 07:46:54 阅读: 来源:铸铁厂家

英特尔、三星14纳米来势汹汹 - OFweek电子工程网

OFweek电子工程网讯:全球半导体大厂台积电、英特尔(Intel)及三星电子(Samsung Electronics)在10纳米级多重闸极3D架构的鳍式场效电晶体(FinFET)技术展开激烈竞争,三星和英特尔为确保14纳米FinFET技术领先,纷准备投入量产,台积电则致力于16纳米FinFET技术发展。半导体业者透露,面对竞争对手14纳米进逼,台积电亦布下天罗地网迎战,传出内部针对16纳米制程规划3个版本,且第二版本可能直接在2014年底进行试产,近期已开始说服客户导入。 三星系统LSI事业部已完成14纳米FinFET设计、制程技术研发,正与应用处理器(AP)业者进行测试,三星14纳米制程除量产自主研发的行动应用处理器Exynos,亦将强化与高通(Qualcomm)、苹果(Apple)等业者合作,三星计划藉由14纳米FinFET制程世代,大举重振系统芯片事业,未来三星在代工事业发展上,14纳米FinFET制程将是相当重要的一步。 英特尔方面,14纳米FinFET制程已达到可生产芯片水准,目前生产线亦已完成稳定性验证,正在进行后段制程的封装测试。英特尔2012年在大陆成都工厂首度架构14纳米FinFET后段制程实验产线,计划2014年上半在哥斯大黎加工厂亦架设14纳米制程产线,至于英特尔行动应用处理器14纳米FinFET制程研发,则将在美国总公司内进行。 由于英特尔曾在22纳米制程引进FinFET技术,因此在14纳米FinFET制程可望领先群雄,惟14纳米FinFET制程用在行动应用处理器时能发挥多大性能,仍是未知数。三星在FinFET制程技术亦不遑多让,南韩业者表示,三星14纳米FinFET制程在应用处理器和SRAM等记忆体测试时,都获得不错成果,未来半导体三强在应用处理器和代工市场竞争将越演越烈。

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